Electrónica de Yougou (Shenzhen) Co., Ltd.

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

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MOSFET multifuncional del canal N del transistor, transistor electrónico de 55V 110A IRF3205

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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MOSFET multifuncional del canal N del transistor, transistor electrónico de 55V 110A IRF3205

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Number modelo :IRF3205
Número de parte. :IRF3205
Categoría de producto :MOSFET
Polaridad del transistor :Canal N
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente :55 V
Corriente continua :110A
Condición :Nuevo
Las existencias :En stock
Cantidad mínima de pedido :1
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Descubra el transistor versátil del MOSFET IRF3205

Revolucione sus circuitos electrónicos con el transistor del MOSFET IRF3205

 

IRF3205 es un transistor potente y confiable del MOSFET del canal N que es de uso general en los circuitos electrónicos donde se requiere la transferencia del poder más elevado. Este MOSFET tiene un grado máximo del voltaje de 55 voltios y puede manejar una corriente continua de hasta 110 amperios. Su resistencia baja del en-estado de solamente 8 miliohmios significa que disipa poder muy pequeño incluso cuando está utilizada en usos de gran intensidad. El IRF3205 es una gran opción para las fuentes de alimentación, el control de motor, y otros usos que requieren la transferencia de gran intensidad y de alto voltaje.

 

 

Características técnicas:

  • Categoría de producto: MOSFET
  • Tecnología: Si
  • Montaje de estilo: A través del agujero
  • Paquete/caso: TO-220-3
  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Número de canales: 1 canal
  • Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente: 55 V
  • Identificación - corriente continua del dren: 110 A
  • Rds en - resistencia de la Dren-fuente: 8 mOhms
  • Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: - 20 V, + 20 V
  • Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C
  • Temperatura de funcionamiento máximo: + 175 C
  • Paladio - disipación de poder: 200 W
  • Modo del canal: Aumento
  • Marca: Infineon/IR
  • Configuración: Solo
  • Tiempo de caída: 65 ns
  • Altura: 15,65 milímetros
  • Longitud: 10 milímetros
  • Tipo de producto: MOSFET
  • Tiempo de subida: 101 ns
  • Subcategoría: MOSFETs
  • Tipo del transistor: 1 canal N
  • Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: 50 ns
  • Tiempo de retraso de abertura típico: 14 ns
  • Anchura: unidad de 4,4 milímetros
  • Peso: 0,068784 onzas
Carro de la investigación 0