MOSFET de alto rendimiento del canal N

FQPF10N65C - El último MOSFET para todas sus necesidades del poder

Introduciendo el FQPF10N65C, un MOSFET potente del canal N que se diseña con eficacia y confiabilidad extremas en mente. Este MOSFET de alto rendimiento se construye para manejar los usos de alto voltaje, tomándole la última decisión para sus necesidades del poder. Con un grado del voltaje de la dren-fuente (VDS) de 650 voltios, el FQPF10N65C se diseña para manejar altos voltajes fácilmente. Además, su grado de la corriente de fuente de 10 amperios se asegura de que pueda acomodar niveles de actual sin ningunos problemas.

El FQPF10N65C se jacta una en-resistencia baja (RDSon) de solamente 0,7 ohmios, haciéndola muy eficiente y capaz de conducir altas corrientes con apagón mínimo. Sus medios rápidos de la velocidad que cambia que el MOSFET puede rápidamente dar vuelta con./desc., asegurándose de que responde rápidamente a cualquier cambio en la corriente eléctrica. En su base, el FQPF10N65C es un MOSFET confiable y durable que se diseña para cumplir estándares rigurosos de la calidad y del funcionamiento. Si usted está trabajando en fuentes de alimentación, circuitos de control de motor, o cualesquiera otros usos de alto voltaje, el FQPF10N65C es el último MOSFET para todas sus necesidades del poder. En resumen, si usted está buscando un MOSFET de alto rendimiento del canal N que se diseñe para la eficacia, la durabilidad, y la confiabilidad, parezca no más futuro que el FQPF10N65C. Es la última opción para todas sus necesidades del poder.

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