Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
Shenzhen Hefengxin Tecnología Co., Ltd.
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Transistor bipolar - fabricante dual: Diodes Incorporated
Categoría de producto: transistor bipolar - transistor de unión bipolar (BJT)
Tecnología: Si
Estilo de instalación: SMD/SMT
Paquete/caja: PowerDI3333-8
Polaridad del transistor: PNP
Configuración: Simple
Corriente máxima de colector CC: 3 A
Tensión máxima colector-emisor VCEO: 25 V
Tensión colector-base VCBO: 35 V
Tensión emisor-base VEBO: 7 V
Tensión de saturación colector-emisor: 164 mV
Pd - Disipación de potencia: 3.1 W
Producto de ganancia-ancho de banda fT: 160 MHz
Temperatura mínima de funcionamiento: -55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento: +175 °C
Empaquetado: Bobina
Empaquetado: Cinta recortada
Encapsulado: MouseReel
Marca comercial: Diodes Incorporated
Corriente continua de colector: -3 A
Ganancia CC colector/base hFEmin: 100
Ganancia de corriente CC máxima hFE: 300
Tipo de producto: BJT - Transistores bipolares
Subcategoría: Transistores
Peso unitario: 30 mg BJT