Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
Shenzhen Hefengxin Tecnología Co., Ltd.
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Fabricante: Toshiba
Categoría de producto: transistor bipolar - transistor de unión bipolar (BJT)
Tecnología: si
Estilo de instalación: SMD/SMT
Paquete/caja: SC-59-3
Polaridad del transistor: PNP
Configuración: Simple
Corriente máxima de colector CC: 150 mA
Tensión máxima colector-emisor VCEO: 50 V
Tensión colector-base VCBO: 50 V
Tensión emisor-base VEBO: 5 V
Tensión de saturación colector-emisor: 100 mV
Pd - disipación de potencia: 150 mW
Producto de ganancia-ancho de banda fT: 80 MHz
Temperatura máxima de funcionamiento: +125c
Calificación: AEC-Q101
Serie: 2SA1162
Paquete: Carrete
Paquete: Cinta recortada
Encapsulado: MouseReel
Marca comercial: Toshiba
Ganancia de colector/base CC hfemin: 70
Ganancia de corriente continua máxima hFE: 400
Tipo de producto: BJT - Transistores bipolares
Subcategoría: Transistores
Peso unitario: 8 mg