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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

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SI3454CDV-T1-GE3 Transistor Mosfet MOSFET Canal P Alto Rendimiento

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Circuito integrado IC

 [201]

Condensador de cerámica de múltiples capas

 [833]

Resistores de película gruesa

 [29]

Inductor de alta frecuencia

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 [241]

Diodo de protección ESD

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Rectificador Schottky de diodo

 [103]

Transistor del MOSFET

 [13]

Dispositivo de protección contra sobretensiones de tiristores

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Regulador bajo del marginado

 [28]

transistor de empalme bipolar

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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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China SI3454CDV-T1-GE3 Transistor Mosfet MOSFET Canal P Alto Rendimiento wholesale
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SI3454CDV-T1-GE3 Transistor Mosfet MOSFET Canal P Alto Rendimiento
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Número de modelo :Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad compet
Lugar de origen :Estados Unidos
Cantidad mínima de pedido :1
Condiciones de pago :T/T
El tiempo de entrega :5-8 días laborables
Detalles de embalaje :SMD/SMT
Producto :MOSFET
Estilo de instalación :SMD/SMT
Paquete/caja :TSOP-6
Encapsulación :Carrete, cinta cortada, carrete de ratón
Tipo de producto :Mosfets
Peso unitario :20 miligramos
Serie :SI3
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Fabricante: Vishay
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: si
Estilo de instalación: SMD/SMT
Paquete/caja: TSOP-6
Nombre comercial: TrenchFET
Empaquetado: Bobina
Empaquetado: Cinta recortada
Marca comercial: Vishay/Siliconix
Altura: 1.1 mm
Longitud: 3.05 mm
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: SI3
Subcategoría: Transistores
Ancho: 1.65 mm
Alias del número de pieza: SI3454CDV-GE3
Peso unitario: 20 mg

SI3454CDV-T1-GE3.pdf

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