Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
Shenzhen Hefengxin Tecnología Co., Ltd.
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Fabricante: Vishay
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: si
Estilo de instalación: SMD/SMT
Paquete/caja: SOT-23-3
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión de ruptura drenaje-fuente: 60 V
Id - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente encendido: 156 mOhmios
Vgs - Tensión puerta-fuente: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: 3 V
Qg - Carga de puerta: 2.3 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: -55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: +150 C
Pd - Disipación de potencia: 1.66 W
Modo de canal: Mejora
Nombre comercial: TrenchFET
Paquete: Carrete
Paquete: Cinta recortada
Encapsulado: MouseReel
Marca comercial: Vishay Semiconductors
Configuración: Simple
Tiempo de descenso: 7 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 10 ns
Serie: SI2
Subcategoría: Transistores
Tipo de transistor: 1 Canal N
Tiempo de retardo de cierre típico: 10 ns
Tiempo de retardo de encendido típico: 4 ns
Alias del número de pieza: SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-GE3-ge3
Peso unitario: 8 mg