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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Ciudad:hong kong

País/Región:china

Persona de contacto:MrTom Guo

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China Memoria permanente IC 1Mbit 45 paralelos ns 48-FBGA de SRAM wholesale

Memoria permanente IC 1Mbit 45 paralelos ns 48-FBGA de SRAM

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Number modelo :CY14V101NA-BA45XI

Lugar del origen :China, Guangdong

Cantidad de orden mínima :>=5pcs

Condiciones de pago :Fideicomiso, L/C, D/A, D/P, T/T

Capacidad de la fuente :99000 acres/acres por Day+pcs+2-7days

Plazo de expedición :días 2-4work

Detalles de empaquetado :La fábrica original selló el embalaje con los tipos estándar: tubo, bandeja, cinta y carrete, caja,

Descripción :PARALELO 48FBGA DE IC NVSRAM 1MBIT

Paquete/caso :48-TFBGA

Montaje del tipo :Soporte superficial

Temperatura de funcionamiento :-40°C ~ 85°C (TA)

Voltaje - fuente :2.7V ~ 3.6V

Tamaño de la memoria :1 Mbit

Situación del producto :Activo

Número bajo del producto :CY14V101

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El alimentación de TPS82130SILR fuente el soporte PoL Module sin aislar del tablero que el convertidor 1 de DC DC hizo salir 0,9 ~ 5V 3A

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

El Cypress CY14V101LA/CY14V101NA es RAM rápidamente estático, con un elemento permanente en cada célula de memoria. La memoria se organiza como 128 bytes de 8 pedazos cada uno de K o 64 palabras de 16 pedazos cada uno de K. Los elementos permanentes integrados incorporan la tecnología de QuantumTrap, produciendo la memoria permanente más confiable del mundo. SRAM proporciona la lectura infinita y escribe ciclos, mientras que los datos permanentes independientes residen en la célula altamente confiable de QuantumTrap. Las transferencias de datos de SRAM a los elementos permanentes (la operación de la TIENDA) ocurren automáticamente en el poder abajo. En ciclo inicial, los datos se restauran a SRAM (la operación de MEMORIA) de la memoria permanente. Las operaciones de la TIENDA y de MEMORIA están también disponibles bajo control del software.

PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto	Activo
Tipo de la memoria	Permanente
Formato de la memoria	NVSRAM
Tecnología	NVSRAM (SRAM permanente)
Tamaño de la memoria	1Mbit
Organización de la memoria	64K x 16
Interfaz de la memoria	Paralelo
Escriba la duración de ciclo - palabra, página	45ns
Tiempo de acceso	45 ns
Voltaje - fuente	2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete/caso	48-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor	48-FBGA (6x10)
Número bajo del producto	CY14V101

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