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PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto	Activo
Tipo del FET	Canal N 2 (dual)
Característica del FET	Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	40V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	10A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	13mOhm @ 10A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	2.7V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	33nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	1950pF @ 20V
Poder - máximo	2W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete/caso	8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC

Etiquetas de productos:

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