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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Ciudad:hong kong

País/Región:china

Persona de contacto:MrTom Guo

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China Arsenal de puerta programable del campo de EP2C20Q240I7N QFP Integrar-FPGA a estrenar y original Microprocesador del circuito integrado wholesale

Arsenal de puerta programable del campo de EP2C20Q240I7N QFP Integrar-FPGA a estrenar y original Microprocesador del circuito integrado

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Number modelo :EP2C20Q240I7N

Cantidad de orden mínima :>=1pcs

Capacidad de la fuente :50000 acres/acres por Day+pcs+2-3days

Plazo de expedición :2-3Days

Detalles de empaquetado :La fábrica original selló el embalaje con los tipos estándar: tubo, bandeja, cinta y carrete, caja,

Lugar del origen :China

Condiciones de pago :L/C, D/P, T/T, Western Union, , D/A

De potencia de salida :Estándar

Protocolo :Estándar

Voltaje de funcionamiento :5V

Temperatura de funcionamiento :-40℃ ~ 85℃

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Microprocesador a estrenar y original del arsenal de puerta programable del campo de EP2C20Q240I7N QFP Integrar-FPGA del circuito integrado

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

El número de parte EP2C20Q240I7N es fabricado por ALTERA y distribuido por Stjk. Como uno de los distribuidores principales de productos electrónicos, llevamos muchos componentes electrónicos de los fabricantes superiores del mundo.

Para más información sobre EP2C20Q240I7N detalló las especificaciones, citas, de ejecución los plazos, condiciones de pago y más, no vacile por favor entrarnos en contacto con. Para procesar su investigación, añada por favor la cantidad EP2C20Q240I7N a su mensaje. Ahora envíe un correo electrónico a stjkelec@hotmail.com para una cita.

PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto	Activo
Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	200 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	62A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	27mOhm @ 31A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	99 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±30V
Capacitancia de la entrada (CISS) (máximo) @ Vds	7230 PF @ 25 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	260W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	² PAK (TO-263) DE D
Paquete/caso	TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB

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