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PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto	Activo
Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	700 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	12.5A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	360mOhm @ 3A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	3.5V @ 150µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	nC 16,4 @ 10 V
Vgs (máximo)	±16V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	517 PF @ 400 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	7.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT223
Paquete/caso	TO-261-4, TO-261AA
Número bajo del producto	IPN70R360

Etiquetas de productos:

Pantalla de seda discreta de los dispositivos de semiconductor del FET del canal N IPN70R360P7S SOT-223

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Pantalla de seda discreta de los dispositivos de semiconductor del FET del canal N IPN70R360P7S SOT-223

Microprocesador a estrenar y original del FET del canal N de la pantalla de seda 70S360 de IPN70R360P7S SOT-223 del circuito integrado

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