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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

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Soporte superficial discreto SOT-23-3 TO-236 de los dispositivos de semiconductor NS9210B-0-175 43V 225MW

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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED
Ciudad:hong kong
País/Región:china
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China Soporte superficial discreto SOT-23-3 TO-236 de los dispositivos de semiconductor NS9210B-0-175 43V 225MW wholesale
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Soporte superficial discreto SOT-23-3 TO-236 de los dispositivos de semiconductor NS9210B-0-175 43V 225MW
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Number modelo :NS9210B-0-175
Cantidad de orden mínima :>=2pcs
Capacidad de la fuente :20000 acres/acres por Day+pcs+2-3days
Plazo de expedición :2-3Days
Detalles de empaquetado :Cinta y carrete; Corte la cinta; Digi-carrete
Lugar del origen :China
Condiciones de pago :L/C, Western Union, , D/A, D/P, T/T
Descripción :DIODO ZENER 43V 225MW SOT23-3
Montaje del tipo :Soporte superficial
Temperatura de funcionamiento :-65°C ~ 150°C
Paquete/caso :BORRACHÍN
Voltaje - fuente :43 V
Potencia - Máx. :225 mW
Impedancia (máxima) (Zzt) :93 ohmios
Número bajo del producto :SZMMBZ5260
Situación del producto :Activo
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Soporte superficial discreto SOT-23-3 (TO-236) del diodo Zener 43 V 225 MW el ±5% de los dispositivos de semiconductor NS9210B-0-175

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

El número de parte NS9210B-0-175 es fabricado por onsemi y distribuido por Stjk. Como uno de los distribuidores principales de productos electrónicos, llevamos muchos componentes electrónicos de los fabricantes superiores del mundo.

Para más información sobre NS9210B-0-175 detalló las especificaciones, citas, de ejecución los plazos, condiciones de pago y más, no vacile por favor entrarnos en contacto con. Para procesar su investigación, añada por favor la cantidad NS9210B-0-175 a su mensaje. Ahora envíe un correo electrónico a stjkelec@hotmail.com para una cita.

PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto
Activo
Tipo del FET
Canal N 2 (dual)
Característica del FET
Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
40V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
10A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
2.7V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
1950pF @ 20V
Poder - máximo
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo

Soporte superficial
Paquete/caso
8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC

Soporte superficial discreto SOT-23-3 TO-236 de los dispositivos de semiconductor NS9210B-0-175 43V 225MW

Soporte superficial discreto SOT-23-3 TO-236 de los dispositivos de semiconductor NS9210B-0-175 43V 225MW

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Etiquetas de productos:

7 segment datasheet common anode

common anode 7 segment datasheet

surface mount diode identification
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