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PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto	Activo
Tipo del FET	Canal N 2 (dual)
Característica del FET	Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	40V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	10A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	13mOhm @ 10A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	2.7V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	33nC @ 10V
Capacitancia de la entrada (CISS) (máximo) @ Vds	1950pF @ 20V
Poder - máximo	2W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete/caso	8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC

Etiquetas de productos:

Canal discreto 30V 100mA 150mW de los dispositivos de semiconductor 3LP01SS-TL-H P

Chip CI electrónico

Chip CI programable

Chips CI del ordenador

Dispositivos de semiconductor discretos

Sensores del circuito integrado

Protección de circuito IC

Conectores de IC

Monitor de la presión arterial del brazo

Condensadores de los componentes electrónicos

Resistores de los componentes electrónicos

Componentes pasivos electrónicos

Chip CI de la fuente de alimentación

Retransmisiones de los componentes electrónicos

IC optoelectrónico

Transmisor-receptor IC del RF

Transmisor-receptor IC del RFID

Canal discreto 30V 100mA 150mW de los dispositivos de semiconductor 3LP01SS-TL-H P

Soporte discreto SMCP de la superficie 150mW (TA) del P-canal 30 V 100mA (TA) de los productos de semiconductor 3LP01SS-TL-H

channel igbt toshiba semiconductor

p-channel mosfet sot-23

ss34 diode equivalent