SDRAM - memoria IC MT46V16M16P-5B de RDA: Paralelo de M 256Mbit 200 megaciclos 700 chip CI electrónico del picosegundo 66-TSOP
DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO
Número de parte MT46V16M16P-5B: M es fabricado por Micron Technology Inc y distribuido por Stjk. Como uno de los distribuidores principales de productos electrónicos, llevamos muchos componentes electrónicos de los fabricantes superiores del mundo.
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Características
• VDD = 2.5V ±0.2V, VDDQ = 2.5V ±0.2V
VDD = 2.6V ±0.1V, VDDQ = 2.6V ±0.1V (DDR400) 1
• Estroboscópico bidireccional de los datos (DQS) transmitido
recibido con los datos, es decir, datos fuente-síncronos
captura (x16 tiene dos – uno por byte)
• Doble-dato-tarifa interna, canalizada (RDA)
arquitectura; dos accesos a datos por ciclo de reloj
• Entradas de reloj diferenciado (CK y CK#)
• Los comandos entraron en cada borde positivo de las CK
• DQS borde-alineó con los datos para READs; centeraligned con los datos para WRITEs
• DLL para alinear transiciones de DQ y de DQS con las CK
• Cuatro bancos internos para la operación concurrente
• La máscara de los datos (DM) para enmascarar escribe datos
(x16 tiene dos – uno por byte)
• Longitudes estalladas programables (BL): 2, 4, o 8
• El auto restaura
– 64ms, ciclo 8192 (AIT)
– 16ms, ciclo 8192 (AAT)
• El uno mismo restaura (no disponible en los dispositivos de AAT)
• Largo-ventaja TSOP para la confiabilidad mejorada (OCPL)
• entrada-salida 2.5V (SSTL_2-compatible)
• La opción auto concurrente de la precarga apoyó
• t
Cierre de RAS apoyado (t
RAP = t
RCD)
• AEC-Q100
• Presentación de PPAP
• tiempo de respuesta 8D
