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PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto	Activo
Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	60 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	380mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	2Ohm @ 500mA, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	0,3 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia de la entrada (CISS) (máximo) @ Vds	50 PF @ 25 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	370mW (TA)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete/caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Etiquetas de productos:

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Chip CI electrónico

Chip CI programable

Chips CI del ordenador

Dispositivos de semiconductor discretos

Sensores del circuito integrado

Protección de circuito IC

Conectores de IC

Monitor de la presión arterial del brazo

Condensadores de los componentes electrónicos

Resistores de los componentes electrónicos

Componentes pasivos electrónicos

Chip CI de la fuente de alimentación

Retransmisiones de los componentes electrónicos

IC optoelectrónico

Transmisor-receptor IC del RF

Transmisor-receptor IC del RFID

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