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Categoría :Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los JFET
Tipo de FET :N-canal
estado del producto :Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS) :30 V
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Paquete :Las demás
Series :-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0) :8 mA @ 15 V
El Sr. :Tecnología de microchips
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @ :Las emisiones de dióxido de carbono y de nitrógeno
Paquete de dispositivos del proveedor :El número de
Envase / estuche :3-SMD, sin plomo
Potencia - máximo :360 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :18pF @ 10V
Resistencia - RDS (encendido) :60 ohmos
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) :30 V
Número del producto de base :2N4861
Temperatura de funcionamiento :-65°C ~ 200°C (TJ)
Descripción :El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones eléctricas de combustión interna
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