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Categoría :Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los JFET
Tipo de FET :P-canal
estado del producto :Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS) :30 V
Tipo de montaje :Orificio pasante
Paquete :Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Series :-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0) :El valor de las emisiones de CO2
El Sr. :En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @ :3 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor :TO-92-3
Envase / estuche :TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas
Temperatura de funcionamiento :-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :-
Potencia - máximo :350 mW
Resistencia - RDS (encendido) :125 ohmios
Número del producto de base :J175 El tratamiento de las células
Descripción :Se aplicarán las siguientes medidas:
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