Tipo de producto :Transistores de alta frecuencia, transistores IGBT
Temperatura de funcionamiento :Estándar
Serie :Estándar
Tipo de montaje :/, Soporte superficial
Descripción :/
Número de modelo :No incluye los productos de la categoría M2
Lugar de origen :Japón
D/C :Más reciente
Tipo de paquete :Montura de la superficie
Aplicación :De alta frecuencia
Tipo de proveedor :Agencia, minorista
Referencia recíproca :Estándar
Medios disponible :Ficha técnica
Marca del producto :Transistores de potencia de RF
Actual - colector (Ic) (máximo) :Estándar
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) :Estándar
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic :Estándar
Actual - atajo del colector (máximo) :Estándar
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce :Estándar
Poder - máximo :Estándar
Frecuencia - transición :Estándar
Envase / estuche :Estándar
Resistor - base (R1) :Estándar
Resistor - base del emisor (R2) :Estándar
Tipo del FET :Estándar
Característica del FET :Diodo de Schottky (aislado)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :Estándar
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :Estándar
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :Estándar
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :Estándar
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :Estándar
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :Estándar
Frecuencia :Estándar
Grado actual (amperios) :Estándar
Figura de ruido :Estándar
Poder - salida :Estándar
Voltaje - clasificado :Estándar
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :Estándar
Vgs (máximo) :Estándar
Tipo de IGBT :Estándar
Configuración :medio puente
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic :Estándar
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce :Estándar
Ingreso :Estándar
Termistor de NTC :Estándar
Voltaje - avería (V (BR) GSS) :Estándar
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0) :Estándar
Dren actual (identificación) - máxima :Estándar
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @ :Estándar
Resistencia - RDS (encendido) :Estándar
Válvula de tensión :Estándar
Voltaje - salida :Estándar
Voltaje - compensación (Vt) :Estándar
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao) :Estándar
Actual - valle (iv) :Estándar
Actual - pico :Estándar
Aplicaciones :Los PCB
Tipo del transistor :Transistores de potencia rf de tipo mrf150
condición :original y nuevo MRF6S21100
Detalles del embalaje :Transistor de potencia de RF de microondas HF/VHF/UHF MOSFET MRF6S21100
Puerto :SZ
Capacidad de suministro :10000 pedazos/pedazos por Semana
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