Tipo de producto :JFET, transistor IGBT
Temperatura de funcionamiento :/
Serie :BT2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B
Tipo de montaje :/
Descripción :/
Número de modelo :IRF2807
Lugar de origen :Guangdong, China
D/C :20+
Tipo de paquete :En el agujero
Aplicación :MOSFET
Tipo de proveedor :Las demás
Referencia recíproca :Estándar
Medios disponible :Las demás
Marca del producto :,
Actual - colector (Ic) (máximo) :75V
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) :,
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic :,
Actual - atajo del colector (máximo) :89A
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce :,
Poder - máximo :/
Frecuencia - transición :/
Envase / estuche :/
Resistor - base (R1) :-
Resistor - base del emisor (R2) :-
Tipo del FET :-
Característica del FET :Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :,
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :,
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :,
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :,
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :,
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :,
Frecuencia :,
Grado actual (amperios) :,
Figura de ruido :,
Poder - salida :,
Voltaje - clasificado :,
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :,
Vgs (máximo) :,
Tipo de IGBT :,
Configuración :No casado
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic :,
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce :,
Ingreso :,
Termistor de NTC :,
Voltaje - avería (V (BR) GSS) :,
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0) :,
Dren actual (identificación) - máxima :,
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @ :,
Resistencia - RDS (encendido) :,
Válvula de tensión :,
Voltaje - salida :,
Voltaje - compensación (Vt) :,
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao) :,
Actual - valle (iv) :/
Actual - pico :,
Aplicaciones :,
Tipo del transistor :Transistores de potencia rf de tipo mrf150
Detalles del embalaje :Empaquetado antiestático
Puerto :el pueblo de Shenzhen
Capacidad de suministro :88888 pieza/piezas por mes
Cantidad mínima de pedido :10 piezas
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