Tipo de producto :Transistores MOS, transistores IGBT
Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie :/
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Descripción :/
Número de modelo :TSM950N10CW
Lugar de origen :Guangdong, China
D/C :22+
Tipo de paquete :SOT-223-3
Aplicación :Diodos - Rectificadores
Tipo de proveedor :Las demás
Referencia recíproca :Estándar
Medios disponible :Las demás
Marca del producto :MOSFET SOT-223-3 y sus derivados
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) :,
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic :,
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce :,
Envase / estuche :SOT-223
Resistor - base (R1) :,
Resistor - base del emisor (R2) :,
Característica del FET :/
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :,
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :,
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :,
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :/
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :,
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :,
Frecuencia :,
Grado actual (amperios) :,
Figura de ruido :,
Poder - salida :,
Voltaje - clasificado :,
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
Vgs (máximo) :±20V
Tipo de IGBT :,
Configuración :/
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic :,
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce :,
Ingreso :,
Termistor de NTC :,
Voltaje - avería (V (BR) GSS) :,
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0) :,
Dren actual (identificación) - máxima :,
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @ :,
Resistencia - RDS (encendido) :,
Válvula de tensión :,
Voltaje - salida :,
Voltaje - compensación (Vt) :,
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao) :,
Actual - valle (iv) :,
Actual - pico :,
Aplicaciones :,
Tipo del transistor :Transistores de potencia rf de tipo mrf150
Detalles del embalaje :Nuevo y original, embalaje sellado de la fábrica, será paquete en uno de éstos tipo que embala: Tubo
Puerto :el pueblo de Shenzhen
Capacidad de suministro :50000000 pedazos/pedazos por Día
Cantidad mínima de pedido :100 piezas
more
