Fabricante Part Number :MT4E2M2M2M2M2M2M2
Tipo de producto :IC de memoria
Lugar de origen :Guangdong, China
Descripción :,
Voltaje - avería :,
Frecuencia - transferencia :,
Poder (vatios) :,
Temperatura de funcionamiento :,
Tipo de montaje :,
Voltaje - Suministro (Min) :,
Voltaje - fuente (máxima) :,
Voltaje - salida :,
Actual - salida/canal :,
Frecuencia :,
Aplicaciones :Chip de memoria flash USB 3.0 con memoria SDRAM
Tipo del FET :,
Actual - salida (máxima) :,
Actual - fuente :,
Voltagem - Suministro :,
Frecuencia - máximo :,
Poder - máximo :,
Las normas de seguridad :,
Función :Chip de memoria flash USB 3.0 con memoria SDRAM
Fuente de suministro de tensión - interna :,
Frecuencia - atajo o centro :,
Actual - salida (ES (apagado)) (Máximo) :,
Poder aislado :,
Voltaje - aislamiento :,
Actual - salida alta, bajo :,
Actual - salida máxima :,
Voltaje - delantero (Vf) (tipo) :,
Actual - DC delantero (si) (máximo) :,
Tipo entrado :,
Tipo de salida :,
Ratio de transferencia actual (minuto) :,
Ratio de transferencia actual (máximo) :,
Voltagem - salida (máximo) :,
Voltaje - del estado :,
DV/dt estático (minuto) :,
Actual - disparador del LED (Ift) (máximo) :,
Actual - en el estado (él (RMS)) (Máximo) :,
Impedancia :,
Impedancia - desequilibrada/equilibrada :,
Frecuencia de LO :,
Frecuencia del RF :,
Gama entrada :,
Potencia de salida :,
La frecuencia banda (bajo/el alto) :,
Especificaciones :,
Tamaño/dimensión :,
Modulación o protocolo :,
Interfaz :,
Poder - salida :,
Tamaño de la memoria :,
Protocolo :,
Modulación :,
Interfaces en serie :,
GPIO :/
IC utilizado/parte :MT4E2M2M2M2M2M2M2
Estándares :,
El estilo :,
Tipo de la memoria :SDRAM DDR USB flash
Memoria programable :,
Resistencia (ohmios) :,
Referencia recíproca :,
Detalles del embalaje :Empaquetado antiestático
Puerto :el pueblo de Shenzhen
Capacidad de suministro :10000 pedazos/pedazos por Semana
Cantidad mínima de pedido :10 piezas
more