Tipo de producto :NA, transistor de efecto de campo, transistor IGBT
Temperatura de funcionamiento :NA
Serie :Estándar
Tipo de montaje :Estándar
Descripción :NA
Número de modelo :Los Estados miembros
Lugar de origen :Guangdong, China
D/C :22+
Tipo de paquete :En el agujero
Aplicación :Estándar
Tipo de proveedor :Minorista
Referencia recíproca :NA
Medios disponible :Las demás
Marca del producto :NA
Actual - colector (Ic) (máximo) :NA
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) :NA
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic :NA
Actual - atajo del colector (máximo) :NA
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce :NA
Poder - máximo :NA
Frecuencia - transición :NA
Envase / estuche :NA
Resistor - base (R1) :NA
Resistor - base del emisor (R2) :NA
Tipo del FET :NA
Característica del FET :Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :NA
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :NA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :NA
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :NA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :NA
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :NA
Frecuencia :NA
Grado actual (amperios) :NA
Figura de ruido :NA
Poder - salida :NA
Voltaje - clasificado :NA
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :NA
Vgs (máximo) :NA
Tipo de IGBT :NA
Configuración :Estándar
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic :NA
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce :NA
Ingreso :NA
Termistor de NTC :NA
Voltaje - avería (V (BR) GSS) :NA
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0) :NA
Dren actual (identificación) - máxima :NA
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @ :NA
Resistencia - RDS (encendido) :NA
Válvula de tensión :NA
Voltaje - salida :NA
Voltaje - compensación (Vt) :NA
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao) :NA
Actual - valle (iv) :NA
Actual - pico :NA
Aplicaciones :NA
Tipo del transistor :Transistores de potencia rf de tipo mrf150
Detalles del embalaje :Empaquetado antiestático
Puerto :el pueblo de Shenzhen
Capacidad de suministro :1000 pedazos/pedazos por Semana
Cantidad mínima de pedido :10 piezas
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