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Electrónica de Shenzhen Res limitada

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Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

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China Canal 20V 9A 8WDFN del Mosfet P del transistor de NTTFS3A08PZTAG wholesale

Canal 20V 9A 8WDFN del Mosfet P del transistor de NTTFS3A08PZTAG

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Number modelo :NTTFS3A08PZTAG

Lugar del origen :América

Detalles de empaquetado :Paquete original

Cantidad de orden mínima :discutible

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente :mes 10000pcs/one

Plazo de expedición :3~10 días

Tipo :Mosfet

Tipo del paquete :WDFN-8

Tipo del proveedor :Fabricante original, ODM, agencia, minorista, otro

Medios disponible :la ficha técnica, foto, EDA/CAD modela, otro

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) :20 V

Temperatura de funcionamiento :-55 ℃ ℃~150

Montaje del tipo :Soporte superficial

Paquete/caso :WDFN-8, WDFN-8

Número de elementos :1

Número de pernos :8

Max Operating Temperature :°C 150

configuración del elemento :solo

Min Operating Temperature :-55 °C

Tiempo de subida :56 ns

Rds en máximo :mΩ 6,7

RoHS :Obediente

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Ver descripción del producto

De NTTFS3A08PZTAG de los transistores de los FETs solo P-CH 20V 9A 8WDFN P-canal de los MOSFETs

Descripción de productos:

1. -20V, - 15A, 6,7 Mω, MOSFET del poder del P-canal

2. wdfn superficial del soporte 840mW (TA) del P-canal 20V 9A (TA) 8 (3.3x3.3)

3. EP T/R del MOSFET P-CH 20V 22A 8-Pin WDFN del transporte

4. componentes -20V, - 15A, los 6.7m, poder MOSFETMOS NTTFS3A08PZTAG del canal de P

Mejore su eficacia:

El hacer juego todo en uno de los conectores de los inductores del resistor del condensador del transistor del diodo de IC del servicio de Kitting de la lista de los componentes electrónicos BOM

El Res tiene un equipo profesional para hacer juego y para citar rápidamente para usted.
Requisito del tiempo:
Tiempo de la cita: < 1mins=""> < 3mins=""> Plazo de expedición: < 24="" hrs=""> < 48="" hrs=""> < 72="" hrs=""> Tiempo del PWB: < 72="" hrs=""> < 7="" days=""> Tiempo de PCBA: < 5="" days=""> * los datos antedichos son solamente aplicables a los materiales normales en tiempo ocioso.

Parámetros tecnológicos:

Tipo del FET	P-canal
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	20 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	9A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	56 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)	±8V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	5000 PF @ 10 V
Disipación de poder (máxima)	840mW (TA)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	8-WDFN (3.3x3.3)
Número bajo del producto	NTTFS3

Imagen del producto:

Garantía de calidad

el proceso de producción 1.Every tiene una persona especial a probar para asegurar calidad

ingenieros profesionales 2.Have para comprobar la calidad

los productos 3.All han pasado el CE, la FCC, ROHS y otras certificaciones

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