Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd

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C- El medio módulo del puente IGBT de la serie, 1200V 450A se dobla las turbinas de viento del módulo FF450R12KT4 de IGBT

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C- El medio módulo del puente IGBT de la serie, 1200V 450A se dobla las turbinas de viento del módulo FF450R12KT4 de IGBT

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Número de modelo :FF450R12KT4
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :1 set
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :1000sets
Plazo de expedición :25 días después de firmar el contrato
Detalles de empaquetado :Empaque de caja de madera
VCES :1200V
Nom de IC :450A
ICRM :900A
Aplicaciones :Impulsiones del motor
Características eléctricas :Pérdidas bajas de la transferencia
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serie C del semipuente 62m m 1200 V, 450 turbinas de viento duales de los módulos FF450R12KT4 de A IGBT

Usos típicos

• Convertidores de poder más elevado

• Impulsiones del motor

• Sistemas de UPS

• Turbinas de viento

Características eléctricas

• Temperatura extendida Tvj de la operación de Op. Sys.

• Pérdidas bajas de la transferencia

• VCEsat bajo

• Robustez imbatible

• VCEsat con coeficiente de temperatura positivo

Características mecánicas

• 4 kilovoltios de aislamiento de la CA 1min

• Paquete con CTI > 400

• Altas distancias del contorneamiento y de la liquidación

• Densidad de poder más elevado

• Embase aislado

• Vivienda estándar

IGBT, inversor

Valores clasificados máximos

voltaje del Colector-emisor Tvj = 25°C VCES 1200 V
Corriente de colector continua de DC

TC = 100°C,

Tvj máximo = 175°C
TC = 25°C,

Tvj máximo = 175°C

Nom de IC
IC

450

580

A

A

Corriente de colector máxima repetidor tP = 1 ms ICRM 900 A
Disipación de poder total

TC = 25°C,

Tvj máximo = 175°C

Ptot 2400 W
voltaje máximo del Puerta-emisor VGES +/--20 V

Valores característicos

voltaje de saturación del Colector-emisor IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C
IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C
IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C
VCE sentado 1,75
2,05
2,10
2,15 V
VV
Voltaje del umbral de la puerta IC = 17,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Carga de la puerta VGE = -15 V… +15 V QG 3,60 µC
Resistor interno de la puerta Tvj = 25°C RGint 1,9
Capacitancia de la entrada f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 28,0 N-F
Capacitancia reversa de la transferencia f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,10 N-F
corriente del atajo del Colector-emisor VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C HIELA 5,0 mA
corriente de la salida del Puerta-emisor VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
Tiempo de retraso de abertura, carga inductiva IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 1,0 Ω Tvj = 150°C
TD encendido 0,16 0,17
0,18
µs
µs
µs
Tiempo de subida, carga inductiva IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 1,0 Ω Tvj = 150°C
tr 0.045 0,04
0,05
µs
µs
µs
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado, carga inductiva IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150°C
TD apagado 0,45 0,52
0,54
µs
µs
µs
Tiempo de caída, carga inductiva IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150°C
tf 0,10 0,16
0,18
µs
µs
µs
Pérdida de energía de abertura por pulso IC = 450 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 9000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,0 Ω Tvj = 150°C
Eón 19,0
30,0
36,0
19,0
30,0
36,0
Pérdida de energía de la vuelta-apagado por pulso IC = 450 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150°C
Eoff 26,0
40,0
43,0
mJ
mJ
mJ
Datos del SC ≤ 15 V, VCC = 800 V DE VGE
VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C
ISC 1800 A
Resistencia termal, empalme al caso IGBT/por IGBT RthJC 0.062 K/W
Resistencia termal, disipador de calor del caseto CADA IGBT/por IGBT
λPaste = 1 con (m·K)/λgrease = 1 con (m·K)
RthCH 0,03 K/W
Temperatura bajo condiciones de la transferencia Tvj de Op. Sys. -40 150 °C

Carro de la investigación 0