OUTER ELECTRONIC TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd Dios ayuda a quien se ayuda a sí mismo, Creativo y progresista, Siendo honesto.
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PrimePACK™3+modulewithTrench/FieldstopIGBT5, EmitterControlled5diodeandNTC VCES = 12
Usos potenciales
• Sistemas de UPS
• Convertidores de poder más elevado
• Usos solares
• Impulsiones del motor
Características eléctricas
• Tvj de Op. Sys. = 175°C
• Temperatura de funcionamiento extendida Tvj de Op. Sys.
• Robustez imbatible
• Foso IGBT 5
• Alta capacidad del cortocircuito
Características mecánicas
• Paquete con CTI>400
• Densidad de poder más elevado
• Capacidad del poder más elevado y del ciclo termal
• Altas distancias del contorneamiento y de la liquidación
Inversor de IGBT
Valores clasificados máximos
| voltaje del Colector-emisor | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
| Corriente de colector continua de DC | TC = 100°C, Tvj máximo = 175°C | Nom de IC | 1500 | A |
| Corriente de colector máxima repetidor | tP = 1 ms | ICRM | 3000 | A |
| voltaje máximo del Puerta-emisor | VGES | +/--20 | V |
Tipo del Min. de los valores característicos. máximo.
| voltaje de saturación del Colector-emisor | IC = 1500 A, VGE = 15 V IC = 1500 A, VGE = 15 V IC = 1500 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C |
VCE sentado | 1,70 2,00 2,15 |
2,15 2,45 2,60 |
VVV | |
| Voltaje del umbral de la puerta | IC = 41,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C | VGEth | 5,25 | 5,80 | 6,35 | V |
| Carga de la puerta | VGE = -15 V… +15 V, VCE = 600V | QG | 7,15 | µC | ||
| Resistor interno de la puerta | Tvj = 25°C | RGint | 0,6 | Ω | ||
| Capacitancia de la entrada | f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cies | 82,0 | N-F | ||
| Capacitancia reversa de la transferencia | f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cres | 3,25 | N-F | ||
| corriente del atajo del Colector-emisor | VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C | HIELA | 5,0 | mA | ||
| corriente de la salida del Puerta-emisor | VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C | IGES | 400 | nA | ||
| Tiempo de retraso de abertura, carga inductiva | IC = 1500 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C |
TD encendido | 0,26 0,28 0,28 |
µs µs µs |
||
| Tiempo de subida, carga inductiva | IC = 1500 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C |
tr | 0,16 0,17 0,18 |
µs µs µs |
||
| Tiempo de retraso de la vuelta-apagado, carga inductiva | IC = 1500 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C |
TD apagado | 0,51 0,56 0,59 |
µs µs µs |
||
| Tiempo de caída, carga inductiva | IC = 1500 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C |
tf | 0,09 0,11 0,13 |
µs µs µs |
||
| Pérdida de energía de abertura por pulso | IC = 1500 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH VGE = ±15 V, di/dt = 7900 A/µs (Tvj = 175°C) RGon = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C |
Eón | 120 180 215 |
mJ mJ mJ |
||
| Pérdida de energía de la vuelta-apagado por pulso | IC = 1500 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH VGE = ±15 V, du/dt = 2750 V/µs (Tvj = 175°C) RGoff = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C |
Eoff | 155 195 220 |
mJ mJ mJ |
||
| Datos del SC | ≤ 15 V, VCC = 900 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 175°C |
ISC | 5600 | A | ||
| Resistencia termal, empalme al caso | Cada IGBT/por IGBT | RthJC | 19,5 | K/kW | ||
| Resistencia termal, caso al disipador de calor | cada IGBT/por IGBT λPaste = 1 con (m·K)/λgrease =1 con (m·K) |
RthCH | 12,5 | K/kW | ||
| Temperatura bajo condiciones de la transferencia | Tvj de Op. Sys. | -40 | 175 | °C |
