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País/Región:china

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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :6V

Product Category :RF Bipolar Transistors

Gain :12dB

Transistor Type :NPN

Minimum Quantity :3000

Supplier Device Package :S-Mini

Noise Figure (dB Typ @ f) :1.2dB @ 1GHz

Part Status :Active

Current - Collector (Ic) (Max) :100mA

Power - Max :700mW

Packaging :Tape & Reel (TR)

Frequency - Transition :11.5GHz

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :200 @ 30mA, 5V

Operating Temperature :150°C (TJ)

Package / Case :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type :Surface Mount

Series :-

Manufacturer :Toshiba Semiconductor

Description :RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

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El MT3S111 (TE85L, F), del semiconductor de Toshiba, es RF Transistors.what bipolar que ofrecemos tenemos precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas. ¡Si usted quisiera conocer más sobre los productos o aplicar un precio bajo, éntrenos en contacto con por favor con la “charla en línea” o envíenos una cita!

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