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País/Región:china

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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :5.3V

Product Category :RF Bipolar Transistors

Gain :12.5dB

Transistor Type :NPN

Minimum Quantity :3000

Supplier Device Package :UFM

Noise Figure (dB Typ @ f) :1.45dB @ 1GHz

Part Status :Active

Current - Collector (Ic) (Max) :100mA

Power - Max :900mW

Packaging :Tape & Reel (TR)

Frequency - Transition :11.2GHz

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :200 @ 30mA, 5V

Operating Temperature :150°C (TJ)

Package / Case :3-SMD, Flat Leads

Mounting Type :Surface Mount

Series :-

Manufacturer :Toshiba Semiconductor

Description :RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

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Los MT3S113TU, SI, de semiconductor de Toshiba, es el RF Transistors.what bipolar nosotros ofrecen tienen precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas. ¡Si usted quisiera conocer más sobre los productos o aplicar un precio bajo, éntrenos en contacto con por favor con la “charla en línea” o envíenos una cita!

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