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País/Región:china

Persona de contacto:MrsXia

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Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage :- 3 V

Technology :GaAs

Product Category :RF JFET Transistors

Mounting Style :SMD/SMT

Gain :10 dB

Transistor Type :pHEMT

Pd - Power Dissipation :180 mW

Package / Case :SOT-363

Maximum Operating Temperature :+ 150 C

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :3 V

Packaging :Reel

Id - Continuous Drain Current :40 mA

Manufacturer :Avago / Broadcom

Description :RF JFET Transistors Transistor GaAs High Frequency

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El ATF-36163-TR1G, de Avago/de Broadcom, es RF JFET Transistors.what que ofrecemos tenemos precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas. ¡Si usted quisiera conocer más sobre los productos o aplicar un precio bajo, éntrenos en contacto con por favor con la “charla en línea” o envíenos una cita!

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