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País/Región:china

Persona de contacto:MrsXia

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Transistor Polarity :N-Channel

Technology :GaN SiC

Product Category :RF JFET Transistors

Mounting Style :SMD/SMT

Gain :17.5 dB

Transistor Type :HEMT

Output Power :162 W

Package / Case :NI-360

Maximum Operating Temperature :+ 85 C

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :50 V

Packaging :Tray

Id - Continuous Drain Current :4 A

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage :145 V

Pd - Power Dissipation :127 W

Manufacturer :Qorvo

Description :RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN

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El QPD1008, de Qorvo, es RF JFET Transistors.what que ofrecemos tenemos precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas. ¡Si usted quisiera conocer más sobre los productos o aplicar un precio bajo, éntrenos en contacto con por favor con la “charla en línea” o envíenos una cita!

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