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IRGS4607DPBF

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China IRGS4607DPBF wholesale

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IRGS4607DPBF

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Gate-Emitter Leakage Current :+/- 100 nA

Product Category :IGBT Transistors

Mounting Style :SMD/SMT

Continuous Collector Current at 25 C :11 A

Pd - Power Dissipation :58 W

Collector- Emitter Voltage VCEO Max :600 V

Package / Case :D-PAK-3

Maximum Operating Temperature :+ 175 C

Maximum Gate Emitter Voltage :+/- 30 V

Packaging :Tube

Configuration :Single

Collector-Emitter Saturation Voltage :1.75 V

Manufacturer :IR / Infineon

Description :IGBT Transistors 600V TRENCH ULTRAFAST IGBT

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El IRGS4607DPBF, del IR/de Infineon, es IGBT Transistors.what que ofrecemos tenemos precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas. ¡Si usted quisiera conocer más sobre los productos o aplicar un precio bajo, éntrenos en contacto con por favor con la “charla en línea” o envíenos una cita!

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EPF6016TC144-3N

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EPF8282AVTC100-3

Carro de la investigación 0

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