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STGW25H120F2

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STGW25H120F2

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Gate-Emitter Leakage Current :250 nA

Product Category :IGBT Transistors

Mounting Style :Through Hole

Continuous Collector Current at 25 C :50 A

Pd - Power Dissipation :375 W

Collector- Emitter Voltage VCEO Max :1200 V

Package / Case :TO-247-3

Maximum Operating Temperature :+ 175 C

Maximum Gate Emitter Voltage :20 V

Packaging :Tube

Configuration :Single

Collector-Emitter Saturation Voltage :2.1 V

Manufacturer :STMicroelectronics

Description :IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar

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El STGW25H120F2, de STMicroelectronics, es IGBT Transistors.what que ofrecemos tenemos precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas. ¡Si usted quisiera conocer más sobre los productos o aplicar un precio bajo, éntrenos en contacto con por favor con la “charla en línea” o envíenos una cita!

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