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País/Región:china

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Gate-Emitter Leakage Current :100 nA

Product Category :IGBT Transistors

Mounting Style :Through Hole

Continuous Collector Current at 25 C :40 A

Pd - Power Dissipation :180 W

Collector- Emitter Voltage VCEO Max :1.2 kV

Package / Case :TO-247-3

Maximum Operating Temperature :+ 150 C

Maximum Gate Emitter Voltage :+/- 20 V

Packaging :Tube

Configuration :Single

Collector-Emitter Saturation Voltage :2.3 V

Manufacturer :IXYS

Description :IGBT Transistors G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A

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