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IKW25N120H3FKSA1

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China IKW25N120H3FKSA1 wholesale

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IKW25N120H3FKSA1

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Gate-Emitter Leakage Current :600 nA

Product Category :IGBT Transistors

Mounting Style :Through Hole

Continuous Collector Current at 25 C :50 A

Pd - Power Dissipation :326 W

Collector- Emitter Voltage VCEO Max :1200 V

Package / Case :TO-247-3

Maximum Operating Temperature :+ 175 C

Maximum Gate Emitter Voltage :20 V

Packaging :Tube

Configuration :Single

Collector-Emitter Saturation Voltage :2.7 V

Manufacturer :Infineon Technologies

Description :IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

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El IKW25N120H3FKSA1, de Infineon Technologies, es IGBT Transistors.what que ofrecemos tenemos precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas. ¡Si usted quisiera conocer más sobre los productos o aplicar un precio bajo, éntrenos en contacto con por favor con la “charla en línea” o envíenos una cita!

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