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IHW30N135R3FKSA1

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China IHW30N135R3FKSA1 wholesale

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IHW30N135R3FKSA1

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Gate-Emitter Leakage Current :100 nA

Product Category :IGBT Transistors

Mounting Style :Through Hole

Continuous Collector Current at 25 C :60 A

Pd - Power Dissipation :349 W

Collector- Emitter Voltage VCEO Max :1350 V

Package / Case :TO-247-3

Maximum Operating Temperature :+ 175 C

Maximum Gate Emitter Voltage :20 V

Packaging :Tube

Configuration :Single

Collector-Emitter Saturation Voltage :2 V

Manufacturer :Infineon Technologies

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El IHW30N135R3FKSA1, de Infineon Technologies, es IGBT Transistors.what que ofrecemos tenemos precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas. ¡Si usted quisiera conocer más sobre los productos o aplicar un precio bajo, éntrenos en contacto con por favor con la “charla en línea” o envíenos una cita!

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SMJ320VC5416HFGW10

ATF1504AS-10AU44

N25Q128A11ESE40F-N

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