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País/Región:china

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IPB030N08N3GATMA1

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Product Category :MOSFET

Vgs (Max) :±20V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :160A (Tc)

FET Type :N-Channel

Mounting Type :Surface Mount

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :117nC @ 10V

Manufacturer :Infineon Technologies

Minimum Quantity :1000

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :6V, 10V

Operating Temperature :-55°C ~ 175°C (TJ)

FET Feature :-

Series :OptiMOS™

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :8110pF @ 40V

Supplier Device Package :PG-TO263-7

Part Status :Active

Packaging :Tape & Reel (TR)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :3 mOhm @ 100A, 10V

Power Dissipation (Max) :214W (Tc)

Package / Case :TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

Vgs(th) (Max) @ Id :3.5V @ 155µA

Drain to Source Voltage (Vdss) :80V

Description :MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7

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