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País/Región:china

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IPB100N04S303ATMA1

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Product Category :MOSFET

Vgs (Max) :±20V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :100A (Tc)

FET Type :N-Channel

Mounting Type :Surface Mount

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :145nC @ 10V

Manufacturer :Infineon Technologies

Minimum Quantity :1000

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :10V

Operating Temperature :-55°C ~ 175°C (TJ)

FET Feature :-

Series :OptiMOS™

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :9600pF @ 25V

Supplier Device Package :PG-TO263-3-2

Part Status :Not For New Designs

Packaging :Tape & Reel (TR)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :2.5 mOhm @ 80A, 10V

Power Dissipation (Max) :214W (Tc)

Package / Case :TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

Vgs(th) (Max) @ Id :4V @ 150µA

Drain to Source Voltage (Vdss) :40V

Description :MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

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El IPB100N04S303ATMA1, de Infineon Technologies, es MOSFET.what que ofrecemos tenemos precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas. ¡Si usted quisiera conocer más sobre los productos o aplicar un precio bajo, éntrenos en contacto con por favor con la “charla en línea” o envíenos una cita!