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País/Región:china

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IRF6616TR1PBF

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Product Category :MOSFET

Vgs (Max) :±20V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :19A (Ta), 106A (Tc)

FET Type :N-Channel

Mounting Type :Surface Mount

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :44nC @ 4.5V

Manufacturer :Infineon Technologies

Minimum Quantity :1000

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V

Operating Temperature :-40°C ~ 150°C (TJ)

FET Feature :-

Series :HEXFET®

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :3765pF @ 20V

Supplier Device Package :DIRECTFET™ MX

Part Status :Obsolete

Packaging :Tape & Reel (TR)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :5 mOhm @ 19A, 10V

Power Dissipation (Max) :2.8W (Ta), 89W (Tc)

Package / Case :DirectFET™ Isometric MX

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

Vgs(th) (Max) @ Id :2.25V @ 250µA

Drain to Source Voltage (Vdss) :40V

Description :MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET

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El IRF6616TR1PBF, de Infineon Technologies, es MOSFET.what que ofrecemos tenemos precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas. ¡Si usted quisiera conocer más sobre los productos o aplicar un precio bajo, éntrenos en contacto con por favor con la “charla en línea” o envíenos una cita!

IRF6616TR1PBF

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