SQJA60EP-T1_BE3

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País/Región:china

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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature :-

Vgs(th) (Max) @ Id :2.5V @ 250µA

Operating Temperature :-55°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case :PowerPAK® SO-8 Dual

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :30 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs :12.5mOhm @ 8A, 10V

FET Type :N-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V

Package :Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®

Drain to Source Voltage (Vdss) :60 V

Vgs (Max) :±20V

Product Status :Active

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :1600 pF @ 25 V

Mounting Type :Surface Mount

Series :Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Supplier Device Package :PowerPAK® SO-8 Dual

Mfr :Vishay Siliconix

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :30A (Tc)

Power Dissipation (Max) :45W (Tc)

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

Base Product Number :SQJA60

Description :MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8

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2SK932

S3P7335XZZ-QWR5

KM62256BLP-7

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