IRF9610PBF

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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature :-

Vgs(th) (Max) @ Id :4V @ 250µA

Operating Temperature :-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :TO-220-3

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :11 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs :3Ohm @ 900mA, 10V

FET Type :P-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :10V

Package :Tube

Drain to Source Voltage (Vdss) :200 V

Vgs (Max) :±20V

Product Status :Active

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :170 pF @ 25 V

Mounting Type :Through Hole

Series :-

Supplier Device Package :TO-220AB

Mfr :Vishay Siliconix

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :1.8A (Tc)

Power Dissipation (Max) :20W (Tc)

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

Base Product Number :IRF9610

Description :MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB

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