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SIA416DJ-T1-GE3

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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature :-

Vgs(th) (Max) @ Id :3V @ 250µA

Operating Temperature :-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :PowerPAK® SC-70-6

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :10 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs :83mOhm @ 3.2A, 10V

FET Type :N-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V

Package :Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®

Drain to Source Voltage (Vdss) :100 V

Vgs (Max) :±20V

Product Status :Active

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :295 pF @ 50 V

Mounting Type :Surface Mount

Series :TrenchFET®

Supplier Device Package :PowerPAK® SC-70-6

Mfr :Vishay Siliconix

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :11.3A (Tc)

Power Dissipation (Max) :3.5W (Ta), 19W (Tc)

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

Base Product Number :SIA416

Description :MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK

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AT93C46N-10SI-2.7

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