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SIR882ADP-T1-GE3

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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature :-

Vgs(th) (Max) @ Id :2.8V @ 250µA

Operating Temperature :-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :PowerPAK® SO-8

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :60 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs :8.7mOhm @ 20A, 10V

FET Type :N-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V

Package :Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®

Drain to Source Voltage (Vdss) :100 V

Vgs (Max) :±20V

Product Status :Active

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :1975 pF @ 50 V

Mounting Type :Surface Mount

Series :TrenchFET®

Supplier Device Package :PowerPAK® SO-8

Mfr :Vishay Siliconix

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :60A (Tc)

Power Dissipation (Max) :5.4W (Ta), 83W (Tc)

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

Base Product Number :SIR882

Description :MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

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