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Número de la parte :FDMB3800N
Fabricante :Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción :Hoja de datos FDMB3800N pdf y Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays Detalles del producto de Sanyo S
Ciclo de vida :Nuevo de este fabricante
Hoja de datos :FDMB3800N.pdf
Entrega :DHL, UPS, FedEx, Correo Registrado
Pago :T/T Paypal Visa MoneyGram y Western Union
Más información :FDMB3800N Más información
ECAD :Solicitar modelos CAD gratuitos
Precio (USD) :- No es nada.95
En el caso de la :Fabricante: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor.
Tensión es uno de los distribuidores.
Amplia gama
El Monte :Montura de la superficie
Alturas :750 μm
Peso :47 mg
Tiempo de subida :5 ns
Resistencia :mΩ 40
Vgs nominal :1.9 V
Capacitancia entrada :465 pF
Voltado de umbral :1.9 V
Número de elementos :2
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado :21 ns
Disposición máxima de energía :1,6 vatios
Min Temperatura de funcionamiento :-55 °C
Puerta al voltaje de la fuente (Vgs) :20 V
Temperatura máxima de unión (Tj) :150 °C
Drene al voltaje de avería de la fuente :30 V
Categoría de productos :Semiconductores discretos - Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Cuánto tiempo :4484 En stock
Aplicaciones :Modulo de datos
Centro de datos y computación empresarial
Ancho :1.9 mm
Duración :3 milímetros
Tiempo de caída :5 ns
Rds en el máximo :mΩ 40
Horario B :8541290080
Número de pines :8
Disposición del poder :1,6 vatios
Número de canales :2
Tiempo de retraso de abertura :8 años
Configuración del elemento :- ¿Qué quieres decir?
Temperatura máxima de funcionamiento :150 °C
Drene a la resistencia de la fuente :mΩ 32
Corriente continua del dren (identificación) :4,8 A
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) :30 V
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