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Paquete de dispositivos del proveedor :8-SOIC
Categoría de productos :MOSFET
Cantidad mínima :2500
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatura de la atmósf
Envase / estuche :8-SOIC (0.154" , anchura de 3.90m m)
Estado de las partes :Actividad
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C :7.5A
embalaje :Cintas y bobinas (TR)
Temperatura de funcionamiento :-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de FET :Canal N 2 (dual)
Característica del FET :Puerta del nivel de la lógica
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) :30 V
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el siguiente:
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs :18 mOhm @ 7,5 A, 10 V
Potencia - máximo :1.6W
Vgs(th) (máximo) @ Id :2.5V @ 250µA
Serie :PowerTrench®
Fabricante :en semi
Descripción :MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
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