IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - IC de memoria DDR3L 4Gbit paralelo a 800 MHz 20 ns 96-TWBGA
El sistema de almacenamiento de datos de las unidades de almacenamiento de datos de las unidades de almacenamiento de datos
Especificaciones de Se aplicará el método siguiente:
| Tipo de producto |
Descripción |
| Categoría |
Circuitos integrados (CI) |
| Memoria |
| El Sr. |
ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc. |
| Serie |
- |
| Paquete |
Envases |
| Estado del producto |
No está disponible |
| Tipo de memoria |
Las sustancias |
| Formato de memoria |
Dispositivos de almacenamiento |
| Tecnología |
La memoria SDRAM es DDR3L. |
| Tamaño de la memoria |
4Gbit |
| Organización de la memoria |
256M x 16 |
| Interfaz de memoria |
En paralelo |
| Frecuencia del reloj |
800 MHz |
| Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página |
15 días |
| Tiempo de acceso |
20 ns |
| Voltagem - Suministro |
1.283V ~ 1.45V |
| Temperatura de funcionamiento |
-40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Tipo de montaje |
Montura de la superficie |
| Envase / estuche |
Las demás: |
| Paquete de dispositivos del proveedor |
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar el efecto invernadero. |
| Número del producto de base |
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases. |
Característicasde lasSe aplicará el método siguiente:
* Tensión estándar: VDD y VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
* Bajo voltaje (L): VDD y VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compatible con el pasado con 1.5V
* Tasa de transferencia de datos de alta velocidad con frecuencia de sistema de hasta 1066 MHz
* 8 bancos internos para operaciones simultáneas
* Arquitectura de pre-recuperación de 8n-bit
* La latencia del CAS programable
* La latencia aditiva programable: 0, CL-1, CL-2
* La latencia de escritura de CAS programable (CWL) basada en tCK
* Largura de ráfaga programable: 4 y 8
* Secuencia de explosión programable: secuencial o interleave
* Interruptor BL en el vuelo
* Auto Actualización (ASR)
* Temperatura de auto-refresco (SRT)
* Intervalo de actualización:
- 7,8 us (8192 ciclos/ 64 ms) Tc= -40°C a 85°C
- 3,9 us (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
* Auto-refresco de la matriz parcial
* Pin de restablecimiento asíncrono
* TDQS (Termination Data Strobe) soportado (sólo x8)
* OCD (ajuste de la impedancia del controlador fuera del chip)
* ODT dinámico (terminación en el momento de la inyección)
* Fuerza del conductor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
* Escribir Nivelación
* Hasta 200 MHz en el modo DLL apagado
* Temperatura de funcionamiento:
- Comercial (TC = 0°C a +95°C)
- Industriales (TC = -40°C a +95°C)
- Automotriz, A1 (TC = -40°C a +95°C)
- Automotriz, A2 (TC = -40°C a +105°C)
Aplicacionesde lasSe aplicará el método siguiente:
Configuración:
- 512Mx8. - ¿ Qué es eso?
- 256Mx16
Envase:
- BGA de 96 bolas (9 mm x 13 mm) para x16
- BGA de 78 bolas (9 mm x 10,5 mm) para x8
Clasificaciones medioambientales y de exportación deSe aplicará el método siguiente:
| Atributo |
Descripción |
| Estado de la RoHS |
Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) |
3 (168 horas) |
| Estatus de REACH |
REACH No afectado |
| El número de personas |
El EAR99 |
| HTSUS |
8542.32.0036 |
