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PLAN EPITAXIAL del SILICIO NPN del chip CI 200MA del transistor MMBT3904

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrAndy
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PLAN EPITAXIAL del SILICIO NPN del chip CI 200MA del transistor MMBT3904

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Number modelo :MMBT3904
Lugar del origen :original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :100.000
Plazo de expedición :días 1-3working
Detalles de empaquetado :Caja del cartón
Actual - colector (Ic) (máximo) :200 mA
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) :40 V
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic :300mV @ 5mA, 50mA
Actual - atajo del colector (máximo) :50nA
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce :100 @ 10mA, 1V
Poder - máximo :300 mW
Frecuencia - transición :250MHz
Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 150°C (TJ)
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PLAN EPITAXIAL del SILICIO NPN del chip CI 200MA del transistor MMBT3904
 
Transistor bipolar (BJT) NPN 40 V 200 mA 250MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
Especificaciones de MMBT3904
 

TIPO DESCRIPCIÓN
Categoría Productos de semiconductor discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Solos transistores bipolares
Mfr SEMICONDUCTOR DE ANBON (INTERNACIONAL) LIMITADO
Serie -
Paquete Cinta y carrete (TR)
Corte la cinta (los CT)
Situación del producto Activo
Tipo del transistor NPN
Actual - colector (Ic) (máximo) 200 mA
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 40 V
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
Actual - atajo del colector (máximo) 50nA
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
Poder - máximo 300 mW
Frecuencia - transición 250MHz
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23
Número bajo del producto MMBT390

 
Características de MMBT3904

 
• Alto voltaje del colector-emitterbreakdien. (BVCEO 40V Min.@Ic =1mA)
• El pequeño transistor del interruptor de la carga con alta ganancia y la saturación baja, se diseña para el amplificador de fines generales y los usos que cambian en la corriente de colector.
• Capaz de la disipación de poder 225mW.
• Las piezas sin plomo para el socio verde, exceden estándares ambientales de MIL-STD-19500/228
• Sufijo “- H” indica la parte Halógeno-libre, ex. MMBT3904-H.

Clasificaciones ambientales y de la exportación de MMBT3904
 

CUALIDAD DESCRIPCIÓN
Situación de RoHS ROHS3 obediente
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) 1 (ilimitado)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
PLAN EPITAXIAL del SILICIO NPN del chip CI 200MA del transistor MMBT3904

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