Electrónica de Yougou (Shenzhen) Co., Ltd.

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

Manufacturer from China
Miembro activo
3 Años
Casa / Productos / IGBT Transistor Module /

Transistor IGBT bipolar, TO-220 transistor de IRG4IBC30S 1.7V del canal N IGBT

Contacta
Electrónica de Yougou (Shenzhen) Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MrTony Zhang
Contacta

Transistor IGBT bipolar, TO-220 transistor de IRG4IBC30S 1.7V del canal N IGBT

Preguntar último precio
Number modelo :IRG4IBC30S
Número de parte :IRG4IBC30S
Condición :Nuevo
Pros :Eficacia alta, alta velocidad que cambia, grado de alta temperatura
Las existencias :En stock
Cantidad mínima de pedido :1
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Descubra los pros - y - contra de IRG4IBC30S antes de invertir su dinero

¿Es IRG4IBC30S la opción correcta para sus necesidades de la electrónica?

 

Si usted está buscando un transistor bipolar aislado potente de la puerta (IGBT) para sus proyectos electrónicos, usted pudo haber oído hablar de IRG4IBC30S. Este IGBT de alta calidad de Infineon Technologies ofrece una gama de ventajas y de desventajas que usted debe considerar antes de tomar una decisión.

 

Pros:

1. Eficacia alta: Con un voltaje ultrabajo de VCE (se sentó) de 1.7V, IRG4IBC30S es un IGBT muy eficiente que puede ahorrar energía y reducir la generación de calor en sus dispositivos electrónicos.

2. Alta velocidad que cambia: Con una velocidad que cambia rápida apenas de 10ns, IRG4IBC30S puede manejar usos de alta frecuencia tales como fuentes de alimentación, control de motor, y calefacción de inducción que cambian.

3. Grado de alta temperatura: IRG4IBC30S tiene una temperatura de funcionamiento máximo de 175°C, haciéndolo conveniente para los usos des alta temperatura.

 

Contra:

1. Alto coste: IRG4IBC30S es un IGBT superior que viene en un alto coste comparado a otros modelos en el mercado.

2. Gama de alto voltaje: La gama del voltaje de IRG4IBC30S se limita a 600V, que puede no ser conveniente para los usos de alto voltaje.

3. Diseño complejo: IRG4IBC30S tiene un diseño complejo que requiera la atención al detalle cuidadosa durante la instalación y la operación.

 

En conclusión, IRG4IBC30S es un mejor IGBT que puede proporcionar eficacia excelente, velocidad que cambia, y la dirección da alta temperatura. Sin embargo, su alto coste, gama limitada del voltaje, y diseño complejo deben ser considerados antes de tomar una decisión de compra.

 

 

Especificaciones:

Voltaje del emisor del colector (VCEO): 600 V DC

Corriente de colector: 2,5 A

Configuración: Solo

Voltaje máximo del emisor de la puerta: 20 V

Disipación de poder: 35 W

Montaje de estilo: A través del agujero

Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C°

Temperatura de funcionamiento máximo: 150 C°

Marca: Rectificador internacional

Paquete: TO-220F-3

Carro de la investigación 0