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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Aluminum Nitride Wafer / AlN 10*10mm2 AlN cristal único 400±50μM grado S/P/R /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

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Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

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Sapphire Substrates modelada

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Tenedor de la oblea del

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Cortadora de obleas

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ciudad:shanghai
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País/Región:china
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AlN 10*10mm2 AlN cristal único 400±50μM grado S/P/R
AlN 10*10mm2 AlN cristal único 400±50μM grado S/P/R
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El sustrato AlN es uno de los sustratos cerámicos más populares que tiene una excelente resistencia al calor, alta resistencia mecánica, resistencia a ...
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c17200 aleación de cobre de berilio grado 553 de silicio metal del cesio

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