Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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FWHM2O3<350arcsec Ga=""> oblea solo Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8m m
grueso de pulido cristalino Sn-dopado 0.6~0.8m m FWHM<350arcsecdel gradodel producto del substrato de 10x15m m 2(010) GA2O3 libres solo solo, dispositivos optoelectrónicos de la resistencia 2.00E+17Ω/cm-3 de Ra≤0.5nm, capas de aislamiento de materiales del semiconductor, y filtros ULTRAVIOLETA
Hay cinco fases cristalinas de GA2 O3, pero el beta-GA2 O3 es el único que puede existir estable en la temperatura alta. El β-GA2 O3 es un nuevo tipo de material transparente del semiconductor del bandgap ultra-ancho con un ancho de banda prohibido alrededor Eg. del eV =4.8, que conveniente para los dispositivos de poder verticales de fabricación de la estructura del poder más elevado con densidad de gran intensidad. Tiene perspectivas del uso en los campos de los detectores ultravioletas, de los diodos electroluminosos (LED) y de los sensores del gas.
| Substrato del nitruro del galio--Nivel de la investigación | ||
| Dimensión | 10*15m m | 10*10m m |
| Grueso | 0.6~0.8m m | |
| Orientación | (010) | |
| Doping | Sn | |
| Superficie pulida | Solo lado pulido | |
| Resistivity/Nd-Na | 2.00E+17 | 1.53E+18 |
| FWHM | <350arcsec> | |
| Ra | ≤0.5nm | |
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, bajo atmósfera del nitrógeno | |
Sobre nosotros
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.
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