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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Ga2O3 Wafer / Sn dopaje Ga2O3 oblea sustrato monocristalino 10x10mm2 /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

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Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

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Cortadora de obleas

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Sn dopaje Ga2O3 oblea sustrato monocristalino 10x10mm2
Sn dopaje Ga2O3 oblea sustrato monocristalino 10x10mm2
  • Sn dopaje Ga2O3 oblea sustrato monocristalino 10x10mm2
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10x10mm2(-201) Ga independiente dopado con Fe2O3sustrato de cristal único Pulido simple de grado de producto Espesor 0,6~0,8 mm FWHM<350arcsec,Ra≤0,3 ...
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substrato del bga Sitio3 de sustrato Substrato fr4

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