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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Patterned Sapphire Substrates / La aspereza superficial trasera 0.8um a 1.2um modeló a Sapphire Substrates Width 16m m /

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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La aspereza superficial trasera 0.8um a 1.2um modeló a Sapphire Substrates Width 16m m
La aspereza superficial trasera 0.8um a 1.2um modeló a Sapphire Substrates Width 16m m
  • La aspereza superficial trasera 0.8um a 1.2um modeló a Sapphire Substrates Width 16m m
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Aspereza superficial trasera Sapphire Substrates Flat Edge Width modelada los 0.8~1.2μm 16±1.0m m Sapphire Substrates modelada 2inch, microprocesador ...
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norma de rugosidad de la superficie 2b acabado de la superficie ancho de las huellas del sustrato cerámico

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