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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Casa / Productos / Patterned Sapphire Substrates / 50.80m m modelaron a Sapphire Substrates Thickness pulida 440um /

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GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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50.80m m modelaron a Sapphire Substrates Thickness pulida 440um
50.80m m modelaron a Sapphire Substrates Thickness pulida 440um
  • 50.80m m modelaron a Sapphire Substrates Thickness pulida 440um
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La dimensión 50.80±0.10m m modeló a Sapphire Substrates Thickness los 430±10μm Sapphire Substrates modelada 2inch, microprocesador del LED, material ...
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espesor del revestimiento de oro del PCB especificación dura de la galjanoplastia de cromo espesor de la chapa de cromo

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